产品简介：

PSPB10000脉冲慢正电子束流是一种可精确调制时间、能量和位置的正电子束流，通过电磁线圈和电场的控制，可以实现对材料近表面和界面的结构形态进行分层扫描，可以实现材料中微观缺陷态的分层测量，从而对材料表面与界面进行结构表征。

PSPB10000产品结构

从放射源产生的正电子首先通过慢化体能量降低到热能，然后通过聚束线圈实现对位置的调控，通过斩波器实现对时间的调控，通过加速电极实现对能量的调控。经过PSPB10000调制过的正电子可以停留在样品的特定深度。

产品特色：

表面界面测量：可以实现对材料表面和界面的微观结构表征，通过连续改变正电子入射能量进行测量可以得到从表面到内部的材料微观结构变化表征。

正电子科学平台：正电子束流可以作为正电子科学平台，通过搭配不同的样品环境与探测单元，实现对样品多条件、多参数的全方位测量表征。

核心指标：

束斑直径≤10mm；

脉冲宽度≤250ps；

正电子能量调节范围：0.25-30keV；

正电子能量最小调节步长≤0.01keV;

具备正电子湮没寿命与多普勒展宽测量功能。

主要应用：

精确分析材料表面和界面中的原子结构、电子密度及缺陷状态，尤其在催化剂、涂层、薄膜等表面改性研究中应用广泛。